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    公开号:WO1986000756A1
    申请号:PCT/CH1985/000110
    申请日:1985-07-09
    公开日:1986-01-30
    发明作者:Hans Zogg
    申请人:Gesellschaft Zur Förderung Der Industrieorientiert；
    IPC主号:H01L29-00
    专利说明:
    [0001] Infrarot-opto-elektronischer Bauteil
    [0002] Die vorliegende Erfindung betrifft einen opto-elektronisehen Bauteil mit mindestens einem auf Infrarotstrahlung empfindlichen, Infrarotstrahlung führenden oder Infrarotstrahlung emittierenden opto-elektronischen Wandler.
    [0003] Es sind opto-elektronische Wärmebildkameras bekannt, bei denen in der Fokalebene einer Linsenanordnung für Infrarotstrahlen eine Vielzahl von auf Infrarotstrahlung empfindliche Sensoren angeordnet sind, von denen jeder in Abhängigkeit von der Intensität der auftreffenden Infrarotstrahlung ein elektrisches Signal liefert. Die Gesamtheit der so gewonnenen, verstärkten und nötigenfalls korrigierten elektrischen Signale erlaubt, das Wärmebild auszuwerten, z.B. für das menschliche Auge sichtbar zu machen. Bisher wurden für die Wärmebilddetektion zahlreiche Einzelsensoren in einem ein- oder zweidimensionalen Array oder Feld angeordnet. Die empfindlichsten dieser Arrays wurden bisher hybrid aufgebaut: Auf einem aus Schmalbandhalbleitermaterial bestehenden Chip sind die einzelnen Sensoren angeordnet. Auf einem zweiten Chip aus Silizium sind die nötigen elektronischen Schaltungsanordnungen zum Verstärken und Multiplexen der elektrischen Signale aufgebaut. Zwischen jedem Sensor und der Schaltungsanordnung auf dem Silizium-Chip ist eine eigene elektrische Verbindung erforderlich, was bei einer grösseren Anzahl von Sensoren recht unpraktisch ist und die Anzahl der in einem Array vereinigten Sensoren begrenzt. Derartige sogenannte intrinsische Focal Plane Arrays sind unter anderem in den regelmässig erscheinenden Konferenzberichten Proc. SPIE, Int. Soc. Opt. Engineering, Bd. 409 (1983), und frühere, beschrieben.
    [0004] Ziel und Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen opto-elektronischen Bauteil der eingangs genannten Art zu schaffen, der anstelle eines relativ komplizierten hybriden Aufbaus einen beträchtlich vereinfachten monolythisehen Aufbau hat, so dass es z.B. ermöglicht ist, eine erhöhte Anzahl von Infrarot-Sensoren oder Infrarotstrahlung emittierenden Dioden in einem Bauteil zu integrieren.
    [0005] Der zur Lösung dieser Aufgabe geschaffene opto-elek.tronische Bauteil ist erfindungsgemäss dadurch gekennzeichnet, dassauf einem Halbleitersubstrat mit Hilfe mindestens einer auf dem Substrat epitaktisch aufgewachsenen Zwischenschicht eine weitere Halbleiterschicht aus einem Schmalbandhalbleiter epitaktisch aufgewachsen ist und in dieser Schmalbandhalbleiterschicht der opto-elektronische Wandler integriert ist und dass die Zwischenschicht an ihren Grenzflächen zum Halbleitersubstrat und zu der SchmalbandhalbleiterSchicht jeweils Gitterkonstanten aufweist, die zwischen oder in der Nähe jener des Halbleitersubstrates bzw. jener der Schmalbandhalbleiterschicht liegen.
    [0006] Durch die Erfindung ist nun also ermöglicht, eine Schmalbandhalbleiterschicht und ein Halbleitersubstrat mit beträchtlich verschiedenen Gitterkonstanten unter Zuhilfenahme mindestens einer Zwischenschicht durch Epitaxie zu einem monolithischen elektronischen Bauteil zu verbinden. Es hat sich gezeigt, dass bei geeigneter Wahl der Zwischenschicht eine epitaktische Verbindung derselben mit dem Halbleitersubstrat und mit der Schmalbandhalbleiterschicht auch dann möglich ist, wenn die Gitterkonstanten der jeweils aneinander angrenzenden Materialien nicht exakt übereinstimmen.
    [0007] Zweckmässig kann die Zwischenschicht aus zwei oder mehr Teilzwischenschichten aufgebaut sein, die unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen, derart dass jeweils an den Grenzflächen zwischen einander benachbarten Schichten, einschliesslich das Halbleitersubstrat und die Schmalbandhalbleiterschicht, die Gitterkonstanten der verschiedenen Materialien nur unwesentlich voneinander abweichen. Bei einer anderen ebenfalls vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemässen Bauteils besteht die Zwischenschicht aus einem Mischkristall, dessen Zusammensetzung über die Dicke der Zwischenschicht graduell verändert ist, derart dass die Zwischenschicht an ihren Grenzflächen zum Halbleitersubstrat und zu der SchmalbandhalbleiterSchicht Gitterkonstanten aufweist, die in der Nähe der Gitterkonstanten des Halbleitersubstrates bzw. der Schmalbandhalbleiterschicht liegen.
    [0008] Vorzugsweise ist das Material der Zwischenschicht ein Fluorid eines Metalles der Gruppe Ha oder ein Mischkristall solcher Metallfluoride.
    [0009] Weitere erfindungsgemässe Merkmale des opto-elektronischen Bauteils ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.
    [0010] Die Erfindung und ihre Vorteile sind im einzelnen nachstehend rein beispielsweise näher erläutert unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung.
    [0011] Fig. 1 zeigt schematisch einen Querschnitt durch einen optoelektronischen Bauteil gemäss der Erfindung und
    [0012] Fig. 2 ist ein Diagramm zur Veranschaulichung der Gitterkonstanten verschiedener Materialien, die für den optoelektronischen Bauteil geeignet sind.
    [0013] Der in Fig. 1 dargestellte opto-elektronische Bauteil weist ein Halbleitersubstrat 1, eine darauf epitaktisch aufgewachsene Zwischenschicht 2 und eine auf letzterer wiederum epitaktisch aufgewachsene Schmalbandhalbleiterschicht 3 auf. Mehrere auf Infrarotstrahlung empfindliche Sensoren 4 sind in die Schmalbandhalbleiterschicht 3 integriert. Im Halbleitersubstrat 1 sind Teile 5 einer elektronischen Schaltungsanordnung zur Auswertung, insbesondere Verstärkung und Multiplexierung, der von den Sensoren 4 gelieferten elektrischen Spannun gen integriert, wobei die Schaltungsanordnung auch sogenannte Charge Coupled Devices aufweisen kann.
    [0014] Das Halbleitersubstrat 1 besteht z.B. aus (m)-Si, dessen Gitterkonstante (bei üblicher Raumtemperatur) 0,543 nm beträgt (Fig. 2). Die Schmalbandhalbleiterschicht 3 besteht z.B. aus PbSe mit einer Gitterkonstante von 0,612 nm. Die Zwischenschicht 2 ist aus mehreren Teilzwischenschichten mit etwas verschiedenen Gitterkonstanten zusammengesetzt. Unmittelbar auf das Halbleitersubstrat 1 ist eine erste Teilzwischenschicht aus reinem CaF2 epitaktisch aufgebaut, dessen Gitterkonstante bei Raumtemperatur 0,546 nm beträgt und somit nur um 0,6 % grösser als diejenige von Si ist. Die letzte, d.h. an die Schmalbandhalbleiterschicht 3 angrenzende Teilzwischenschichtr, besteht aus reinem BaF2 mit einer Gitterkonstante von 0,620 nm, die um 1,2 % grösser als diejenige von PbSe ist. Dazwischenliegende weitere Teilzwischenschichten sind in ihrer Zusammensetzung graduell oder stufenweise veränderte Mischkristalle der Formel Ca1 -xBaxF 2 , in welcher x zwischen 0 und 1 liegt und gegen die letzte Teilzwischenschicht hin zunehmend grösser wird. Die Gitterkonstanten dieser Mischkristalle liegen zwischen jenen von CaF2 und BaF2 und nehmen mit wachsendem x ebenfalls zu. Somit variiert die Gitter konstante der Zwischenschicht 2 über deren Dicke von einem Wert in der Nähe der Gitterkonstanten des Halbleitersubstrats Si bis zu einem Wert in der Nähe der Gitterkonstanten der Schmalbandhalbleiterschicht PbSe.
    [0015] Die beschriebene Zwischenschicht 2 kann durch MolekularstrahlEpitaxie oder auch konventionelles Vakuumverdampfen epitaktisch aufgebaut werden, wie z.B. für CaF2-, SrF2- oder BaF2Wachstum von T. Asano et al. in Jap. J. Appl. Phys. 22, 1474 (1983), beschrieben wurde.
    [0016] Zur Herstellung der Zwischenschicht können zwei separate Tiegel, von denen einer BaF2 und einer CaF2 enthält, verwendet und die Wachstumsraten z.B. mit zwei Schwingquarzen kontrolliert werden. Der nötige Druck im Rezipienten soll unterhalb 7 . 10-5 Pa (5 . 10-7 Torr) liegen; es ist jedoch nicht unbedingt nötig, unter UHV (UltraHochVakuum)-Bedingungen zu arbeiten. Der polierte Si-Wafer wird während des Aufdampfens auf einer Temperatur von 200-800°C gehalten und vorzugsweise auf eine noch höhere Temperatur vor Beginn der Aufdampfung zur Reinigung seiner Oberfläche gebracht. Die Aufdampfrate li'egt zu Beginn der Aufdampfung, bis sich eine erste zusammenhängende Lage gebildet hat, vorzugsweise unterhalb 0,01 nm/sec und kann danach, falls die Temperatur genügend hoch und die Schichtoberfläche genügend sauber ist, bei genügend guten Druckverhältnissen im Rezipienten bis auf etwa 1 nm/sec gesteigert werden. Bei dem hier betrachteten Beispiel wird zuerst reines CaF2 verdampft. Danach wird durch geeignete allmähliche Erhöhung der Temperatur der BaF2 Quelle und Verminderung der Temperatur der CaF2 Quelle ein sich in der Zusammensetzung graduell ändernder Mischkristall von Ca1-xBaxF2 mit zunehmendem x gebildet, bis zuletzt reines BaF2 aufgedampft wird. Die Dicke der gesamten Zwischenschicht 2 kann ca. 10 nm bis einige μm betragen. Gemäss bekanntem Phasendiagramm ist zwar ein (Ba,Ca)F2 Mischkristall thermodynamisch nicht stabil, es ist jedoch bekannt, dass durch Aufdampfen aus der Gasphase sich ein metastabiler Mischkristall bildet.
    [0017] Alternativ kann über die auch im Gleichgewicht sich bildenden Mischkristallreihen
    [0018] CaF2 → (Ca,Sr)F2 →SrF2 → (Sr,Ba)F2 →BaF2
    [0019] die gewünschte Zusammensetzung der Zwischenschicht 2 erhalten werden. Ebenfalls kann durch Einbezug von Cd1-yCayF2 mit y~O.6 zu Beginn der Aufdampfung die Gitterpassung zwischen dem Si-Substrat 1 und der Zwischenschicht 2 verbessert werden. Das gleiche gilt auch für die Grenzfläche PbSe/Zwischensicht, bei der mit Ca1-xBaχF2 mit x~0.9 die Gitterpassung weiter verbessert werden kann. Die PbSe-Schicht 3 wird an schliessend in einem separaten System z.B. durch Heisswandepitaxie bis zu einer Schichtdicke im Bereich von z.B. 0,5 5 μm aufgewachsen, wie z.B. von H. Holloway in Physics of thin films 11, 105 (1980) beschrieben wurde.
    [0020] Die Infrarot-Sensoren 4 können z.B. aus PbTe oder phS1-χSeχ mit 0 ≤x ≤1 bestehen, in welchem Fall die Sensoren im Infrarotfenster für Wellenlängen von 3-5 μm empfindlich sind. Bestehen hingegen die Sensoren 4 aus Pb1-xSnxTe mit x = 0,2 oder aus Pb1-xSn Se mit x=0,07, so resultiert eine InfrarotEmpfindlichkeit im Fenster für Wellenlängen von 8-14 μm.
    [0021] Die übrigen Verfahrensschritte für die Herstellung des optoelektronischen Bauteils sind ähnlich wie bei der bekannten Erzeugung von integrierten elektronischen Chips. Die gewünschte laterale Struktur der Fluoridschicht 2 und/oder der PbSeSchicht 3, z.B. verschieden grosse Flächenbereiche wie in Fig. 1 angedeutet, kann mit Hilfe von Schattenmasken während der Schichtherstellung oder nachträglich mittels der Photolithographietechnik erhalten werden. Mit danach aufgedampften Pb-Flächen können z.B. Schottkykontakte und mit aufgesputtertem Pt die nötigen ohmschen Anschlusskontakte hergestellt werden (in Fig. 1 nicht gezeigt). Alternativ können photovoltaische Infrarotsensoren 4 mittels Diffusion oder Ionenimplantation hergestellt werden. Nicht dargestellte elektrische Verbindungen zum Si-Wafer 1 sind mittels trisch isolierende Zwischenschicht 2 geätzt werden, nötigenfalls weitere Isolationsschichten auf der PbSe-Schicht 3 für die elektrische Isolation aufgebracht werden und mit einem aufgedampften Metall und zugehöriger Aetzung die nötige elektrische Verbindungsstruktur definiert wird.
    [0022] Das beschriebene Ausführungsbeispiel kann in mancher Hinsicht modifiziert werden. So ist es z.B. möglich, das Halbleitersubstrat 1 anstatt aus Si aus einem Material der Gruppe Ge, Ga1-xAlxAs, InP, InSb, GaSb und CdTe herzustellen mit oder ohne epitaktisch aufgewachsener Schicht aus gleichem oder ähnlichem Halbleitermaterial.
    [0023] Ferner sind für die Schmalbandhalbleiterschicht 3 ausser PbSe andere Materialien, wie PbTe, PbS, Pb.^Sn^.Te, Pb1-xSnxSe, PbS1-xSex oder Pb1-xCdxS mit jeweils 0≤x≤ 1 oder allgemeiner und kompakt geschrieben
    [0024] (Pb1-w-xSnxCdw) (S1-y-zSeyTez) mit 0≤w≤1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z-≤1
    [0025] verwendbar, wobei einer oder mehrere der Parameter w, x, y, z über die Schichtdicke variieren können.
    [0026] Ebenfalls können andere Schmalbandhalbleiter, wie Hg1-xCdxTe oder InAs Sb. (0-≤x-≤1), nötigenfalls mit über ihre Schichtdicke sich ändernder Zusammensetzung x verwendet werden.
    [0027] Die Zwischenschicht 2 kann allgemein aus Fluoriden von Metallen der Gruppe lla (MF2, wobei M = Metall) gewachsen werden, insbesondere als Mischkristall
    [0028] CaχSryBazCd1-χ-y-zF2 mit 0≤x≤1, 0≤y≤1, O≤-z-≤1,
    [0029] wobei die Gitterkonstante des Mischkristalls abhängig von den Werten von x, y und z ist. Die ebenfalls als Spezialfall mit der obigen chemischen Formel beschriebenen Randzusammensetzungen weisen folgende Gitterkonstanten d bei Raumtemperatur auf (vgl. Fig. 2):
    [0030] CdF2 d = 0.539 nm
    [0031] CaF2 d = 0.546 nm
    [0032] SrF2 d = 0.580 nm
    [0033] BaF2 d = 0.620 nm.
    [0034] Mit dem Fluorid-Mischkristall können somit Gitterkonstanten "massgeschneidert" werden im Bereich von 0.539 bis 0.620 nm, da diese stetig und monoton mit der Zusammensetzung variieren. Dabei können die Metallatome in der Formel MF2 aus nur einem, zwei oder auch drei verschiedenen oder allen der vier obigen Elemente bestehen. Wie bei dem mit Bezug auf Fig. 1 beschriebenen Beispiel kann die Zusammensetzung der Zwischenschicht im Laufe ihres Wachstums graduell oder auch stufenweise verändert werden, so dass Teilzwischenschichten mit verschiedenen Gitterkonstanten resultieren, derart dass an den Grenzflächen zum Halbleitersubstrat 1 und zur Schmalbandhalbleiterschicht 3 eine gute Gitteranpassung, d.h. wenig Gitterfehler, erhalten wird, was zur Erzielung einer guten Qualität der epitaktisch aufgewachsenen Schmalbandhalbleiterschicht 3 von Vorteil ist.
    [0035] Eine genaue Gitteranpassung an den Grenzflächen zur Zwischenschicht 2 ist nicht in jedem Fall Voraussetzung für die epitaktlsche Herstellung einer Schmalbandhalbleiterschicht 3 mit den gewünschten elektronischen Materialeigenschaften. Zum
    [0036] Beispiel lässt sich auch eine gute PbSe-Schicht mit starkem Anstieg der Hall-Beweglichkeiten (bis zu 105 cm2/Vsec bei Temperaturen unterhalb 30K) beim Abkühlen erzielen, wenn als Zwischenschicht 2 nur BaF2 oder stufenweise zuerst CaF2 und dann BaF2 aufgewachsen wird.
    [0037] In manchen Fällen kann es aus chemischen Gründen oder zur Verbesserung der Haftfähigkeit zweckmässig und vorteilhaft sein, zwischen dem Halbleitersubstrat 1 (Fig. 1) und der Schmalbandhalbleiterschicht 3 mindestens eine nur wenige Monolagen dicke zusätzliche Zwischenschicht anzubringen, die keine Epitaxieschicht zu sein braucht, aber das epitaktische Anwachsen der darüberliegenden Schicht 2 oder 3 nicht beeinträchtigt. Eine derartige zusätzliche Zwischenschicht kann z.B. eine dünne Oxidschicht auf dem Substrat 1 oder zwischen der Zwischenschicht 2 und der Schmalbandhalbleiterschicht 3 sein. Es ist aber auch möglich, eine zusätzliche dünne Zwischenschicht der genannten Art zwischen zwei epitaktisch hergestellten Fluorid-Zwischenschichten anzuordnen. Durch die beschriebene Erfindung ist ermöglicht, mit Hilfe der Zwischenschicht 2 die Schmalbandhalbleiterschicht 3 epitaktisch auf dem Halbleitersubstrat 1 aufzubauen, obwohl die Gitterkonstanten der für das Halbleitersubstrat und die Schmalbandhalbleiterschicht verwendeten Materialien einen beträchtlichen Unterschied in der Grössenordnung von bis zu 16 % - je nach den Materialien - aufweisen. Ohne die Zwischenschicht wäre es aus physikalischen Gründen nicht möglich, Materialien mit derart grossen Unterschieden ihrer Gitterkonstanten epitaktisch miteinander zu verbinden. Die Verwendung einer Zwischenschicht mit kubischer KalciumfluoridStruktur, insbesondere MF2, erlaubt zudem auch die Erzielung vorzugülicher opto-elektronischer Eigenschaften des monolithischen Bauteils. Diesbezüglich wird auf die folgenden Publikationen verwiesen: H. Zogg, W. Vogt und H. Melchior in Infrared Phys. 25, 333 T1985) und H. Zogg und M. Hüppi in Appl. Phys. Lett. 47 (1985).
    [0038] Der erfindungsgemässe opto-elektronische Bauteil ist insbesondere für die Verwendung als sogenannter Focal Plane Array in einer elektronischen Wärmebildkamera geeignet, wobei im Betrieb in bekannter Weise eine Kühlung des Bauteils bis hinab auf 77K (-196°C) erforderlich ist, je nach den Anforderungen und dem Wellenlängenbereich.
    [0039] Der erfindungsgemässe Bauteil kann auch als Infrarotstrahlung führender opto-elektronischer Wandler ausgebildet sein, mit dessen Hilfe es möglich ist, eine Infrarotstrahlung zu modulieren.
    权利要求:
    Claims P a t e n t a n s p r ü c h e
    1. Opto-elektronischer Bauteil mit mindestens einem auf Infrarotstrahlung empfindlichen, Infrarotstrahlung führenden oder Infrarotstrahlung emittierenden opto-elektronischen Wandler, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Halbleitersubstrat mit Hilfe mindestens einer auf dem Substrat epitaktisch aufgewachsenen Zwischenschicht eine weitere Halbleiterschicht aus einem Schmalbandhalbleiter epitaktisch aufgewachsen ist und in dieser Schmalbandhalbleiterschicht der opto-elektronische Wandler integriert ist und dass die Zwischenschicht an ihren Grenzflächen zum Halbleitersubstrat und zu der Schmalbandhalbleiterschicht jeweils Gitterkonstanten aufweist, die zwischen oder in der Nähe jener des Halbleitersubstrates bzw. jener der Schmalbandhalbleiterschicht liegen.
    2. Opto-elektronischer Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht aus mindestens zwei Teilzwischenschichten aufgebaut ist, deren Gitterkonstanten eine Reihe bilden von einem Wert in der Nähe der Gitterkonstante des Halbleitersubstrates zu einem Wert in der Nähe der Gitterkonstante der Schmalbandhalbleiterschicht.
    3. Opto-elektronischer Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht aus einem Mischkristall besteht, dessen Zusammensetzung über die Dicke der Zwischenschicht graduell verändert ist, derart dass die Zwischenschicht an ihren Grenzflächen zum Halbleitersubstrat und zu der Schmalbandhalbleiterschicht Gitterkonstanten aufweist, die in der Nähe der Gitterkonstanten des Halbleitersubstrats bzw. der Schmalbandhalbleiterschicht liegen.
    4. Opto-elektronischer Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat aus einem Material der Gruppe Si, Ge, GaxAl1-xAs mit 0≤x≤ 1, InP, GaSb, lnSb und CdTe besteht, die Zwischenschicht aus einem Material mit kubischer Kalziumfluorid-Struktur besteht und die Schmalbandhalbleiterschicht aus einem Mischkristall der Gruppe Pb1-w-χCdwSnxS1-y-zSeyTe2 mit 0≤w≤1, 0 ≤ x≤ 1, 0≤y ≤1 und 0≤z≤1, Hg1-xCdxTe mit 0 ≤x≤ 1 und InAs1-xSbx mit O ≤x≤1 besteht, wobei die Parameter w, x, y und z über die Dicke der Schmalbandhalbleiterschicht variieren können.
    5. Opto-elektronischer Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht aus CaχSryBazCd1-χ-y-zF2 mit 0 ≤ x ≤ 1, 0≤y≤1 und 0≤z≤1 besteht.
    6. Opto-elektronischer Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in der chemischen Formel für die Zwischenschicht die Parameter x, y und z über die Dicke der Zwischenschicht verändert sind, derart dass an den Grenzflächen zum Halbleitersubstrat und zu der Schmalbandhalbleiterschicht die Gitterkonstanten der Zwischenschicht in der Nähe der Gitterkonstanten des Halbleitersubstrates bzw.der Schmalbandhalbleiterschicht liegen.
    7. Opto-elektronischer Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schmalbandhalbleiterschicht aus einem Mischkristall der Gruppe Pb1-xSnxTe, Pb1-xSnxSe, Pb1-xCdxS und PbS1-xSex mit jeweils 0≤ x ≤1 besteht und die darin integrierten opto-elektronischen Wandler über mindestens einem Wellenlängenbereich innerhalb des Bereiches von 1,5 bis 15 μm arbeiten, und dass im Halbleitersubstrat zumindest ein Teil einer elektronischen Schaltungsanordnung für die Verarbeitung der elektrischen Signale der opto-elektronischen Wandler integriert ist.
    8. Opto-elektronischer Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der opto-elektronische Wandler aus einem Material der Gruppe PbTe und PbS1-x Sex mit 0≤x≤1 besteht und ein im 3-5 μm-Infrarotfenster emnfindlicher Sensor ist.
    9. Opto-elektronischer Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der opto-elektronische Wandler aus einem Material der Gruppe Pb1-xSnxTe und Pb1-xSnxSe besteht, wobei x derart gewählt ist, dass der opto-elektronische Wandler ein im 8-14 μm-Infrarotfenster empfindlicher Sensor ist.
    10. Opto-elektronischer Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Halbleitersubstrat und der Schmalbandhalbleiterschicht mindestens eine nur wenige Monolagen dicke zusätzliche Zwischenschicht, z.B. aus einem Oxid, vorhanden ist, die keine Epitaxieschicht zu sein braucht.
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
    CH3460/84-5||1984-07-10||
    CH346084||1984-07-10||AT85903198T| AT50471T|1984-07-10|1985-07-09|Infrarot-opto-elektronischer bauteil.|
    DE8585903198A| DE3576099D1|1984-07-10|1985-07-09|Infrarot-opto-elektronischer bauteil.|
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